技术编号:7080396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜器件、该薄膜器件的制造方法以及图像显示装置的制造方法。背景技术场效应晶体管(field effect transistor,FET)包括当前的在各种电子装置中使 用的薄膜晶体管(thin-film transistor, TFT)。例如,FET具有包括沟道形成区域、源极/漏极电极、栅极绝缘层和栅极电极的结构,其中,沟道形成区域和源极/漏极电极均形成在硅半导体基板中或硅半导体材料层中,栅极绝缘层是通过使用SiO2在硅半导体基板的表面上或硅半导体...
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