技术编号:7081411
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺,是关于一种IGBT的外围结终端结构及其制造工艺,属于开关型高压功率器件。背景技术IGBT是新型的功率器件,适合于击穿电压大于600V的应用范围。IGBT是电力电子技术的核心元件,具有以下特出的优点①耐压高,②导通电阻低、电流密度大,③导通时器件压降低,④开关速度高,⑤驱动功率小等特点,决定着电能转换模块的转换效率,微型化、 智能化程度。在快速开关电源、电子整流器、电动汽车助动车、空调机、微波炉、风能转换、太阳...
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