技术编号:7081441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例涉及一种半导体存储器件及其制造方法,更具体而言涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。背景技术当在单晶硅衬底之上形成单层的存储器单元时,其存储器密度基于图案化限制和 封装限制来确定。可以通过减小图案的大小来缓解封装限制,以提高存储器密度。然而,随着图案化技术达到技术极限,难以进一步增加存储器密度。在提高存储器密度的需要日益增长的情况下,在单晶硅衬底之上形成单层的存储器单元可能不满足需求。这里,存储器密度表示形成在单位面积内的存储器单元的数...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。