技术编号:7081601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。基于0.25微米工艺的功率MOS器件结构,所述栅极呈方波形状,源极和漏极分别位于栅极两侧,并与栅极对应一侧的外缘形状配合;所述外延层上还具有第一注入区,所述第一注入区位于源极外侧,第二注入区位于第一注入区和源极之间设置有第二注入区,所述第二注入区的注入类型与外延层相同,且注入浓度大于外延层,第一注入区的注入类型与外延层相反,所述栅极与第一注入区通过金属连线连接,栅极与第一注入区之间的金属连线与栅极的连接处位于方波形状栅极靠近源极的顶部。本实用新型改善了静电...
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