技术编号:7082485
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了生长在W衬底上的AlN薄膜,包括由下至上依次排列的W衬底和AlN薄膜,所述AlN薄膜为在400~500℃下生长的AlN薄膜。所述W衬底以(110)面为外延面。与现有技术相比。本实用新型的AlN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。专利说明生长在W衬底上的AIN薄膜 [0001]本实用新型涉及AlN薄膜,特别涉及一种生长在W衬底上的AlN薄膜。 背景技术 [0002]光二极管(LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源,具有体积小、...
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