技术编号:7082577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种半导体元件结构及其制造方法,且特别是关于一种。背景技术齐纳二极管(Zener Diode)因其运作于逆向崩溃电压时可稳定提供逆向崩溃电压,因而具有稳定电压的功能。齐纳二极管已广泛运用于整流器、电源稳压电路或过电压保护电路等用途。另外,齐纳二极管通常可通过焊接方式于其他电子元件连接于电路板上或是利用导电胶粘合方式与积体电路崁入封装于芯片或印刷电路板上。请参照图1,图1为传统齐纳二极管结构示意图。目前市面上的齐纳二极管结构如图1所示,齐纳二极管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。