技术编号：7084715
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术多晶硅薄膜太阳能电池因其既具有晶体硅太阳能电池的高效、稳定、无毒、材料来源丰 富等特点，又具有薄膜太阳能电池的成本低、材料省、工艺简单等优势，并且没有光致衰退 效应，即具有晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的双重优点。目前正成为世界各国的研 究热点。目前制备多晶硅薄膜主要有两种途径 一是利用化学气相沉积(CVD)技术，在衬 底材料上直接制备多晶硅薄膜；但是化学气相沉积法制备多晶硅薄膜一般所需温度高，能耗 大，对衬底要求高；二是首先...
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