技术编号:7084772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明涉及场效应晶体管(FETs)和其制备用的材料和方法。传统的FETs是能够通过施加在第三电极(被称为栅极)上的电压来调整两个电极(被称为漏极和源电极)间电流的电子器件。通过蓄积或消耗漏极和源极间半导体通道中的载流子来调整电流。在传统的FETs中,无机半导体如Si或GaAs已经被用于通道材料。目前,FETs应用于很多场合,如用于大面积显示用活性驱动基料。然而,由于要求高温处理条件和真空以在大面积上得到均匀的器件,制造使用无机材料的FETs常常是困...
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