技术编号:7085879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种带分压环结构的片上高压电阻,包括P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环以及P+环;在所述P衬底、低掺杂N型深阱区、PW环的上表面还生长有场氧;在低掺杂N型深阱区上表面场氧的上方中部设置有第一Poly和第二Poly,第一Poly和第二Poly不贴合,在所述P衬底上还扩散有第一NW环和第二NW环,所述第一、第二NW环设置于场氧的下方,具体位置为低掺杂N型深阱区的外围、PW环之内,并且,第一NW环和低掺杂N型深阱区不贴合,第二NW环和PW环不贴合,...
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