技术编号:7087054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造及设计领域,更具体地说,本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制造。背景技术绝缘栅双极型晶体管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体管(BJT)相结合的产物。其主体部分与BJT相同,也有集电极和发射极,而控制极的结构却与MOSFET相同,是绝缘栅结构,也称为栅极。绝缘栅双极型晶体管兼有MOS晶体管的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。图I示意性地示出...
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