技术编号：7089715
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括应变的、绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离(STI)，约束在所述SOI衬底中的所述应变半导体层，其中所述STI延伸越过所述SOI衬底的氧化物层进入所述SOI衬底中；以及弛豫减少衬垫，在所述STI上以及在所述应变半导体层的相邻侧壁上。专利说明半导体器件 [0001]本实用新型涉及电子器件领域，并且更具体地涉及半导体器件。 背景技术 [0002]一些半导体器件利用了绝缘体上半导体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。