技术编号:7090359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种利用氮化铝和碳化硅多层缓冲层在硅单晶上制备低成本宽禁带单晶薄膜及低成本宽禁带单晶薄膜的制备方法。背景技术氮化物和碳化硅(SiC)等宽禁带单晶薄膜材料由于优良的理化性能在微电子和光电子等国民经济的各个 重要领域得到广泛应用;因为缺乏高质量的单晶材料作为同质衬底,氮化物薄膜生长均采用大失配度的异质外延方式。相比之下,SiC单晶材料由于晶格失配小、热导率高等特点,适合于做氮化物和SiC等单晶薄膜的外延衬底;但是SiC单晶材料制备难度高、硬度高加工难...
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