技术编号:7091501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于ー种半导体封装,详言之,关于三维(3D)半导体封装。背景技术已知形成硅穿孔的方法如下。首先,于ー硅基板的一第一表面上形成数个第一开 ロ。接着,利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)形成一绝缘层于这些第一开ロ的侧壁,且形成数个容置空间。该绝缘层所使用的材质通常为ニ氧化硅。接着,填入ー导电金属(通常为铜)于这些容置空间内。最后,研磨或蚀刻该基板的该第一表面及一第二表面,以显露该导电金属,而形成数个导通柱。该...
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