技术编号:7092298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种全局曝光方式的图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管区,电荷传输晶体管,复位晶体管,源跟随晶体管,选择晶体管,还包括设于光电二极管区外围的多晶硅环和薄氧化层环、晶体管电容器件、N型离子区。多晶硅环为高电平时在光电二极管区感应出电场,为低电平时不感应出电场,光电二极管区的积分时间为多晶硅环高电平时间;晶体管电容器件位于N型离子区中,晶体管电容用来存储光电二极管区收集到的光电电荷,适用于全局曝光方式的图像传感器。专利说明全局曝...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。