技术编号：7094076
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率半导体器件领域，主要是一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管，包括p型集电极，所述p型集电极上设置有载流子扩散层，在所述载流子扩散层上纵向设置有多根沟槽，所述载流子扩散层上横向设置有多排p型活性区和p型非活性区，p型活性区和p型非活性区构成p型基区，呈条纹状；本申请的双极型晶体管中设置有条纹状周期分离性元胞结构，发射极对应形成分离状，使得空穴在发射极未形成覆盖的区域发生积累效应，从而提高沟槽附近区域的载流子浓度，进一步降低导通压降。专利说明注入...
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