技术编号:7096365
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种高压芯片LED结构,通过在N型半导体层上设置接触层保护N型半导体层,使其免受刻蚀等离子体损伤的影响,解决了高压芯片的电压问题;并且,在接触层形成之前,同步形成了阻挡层、腐蚀辅助层和侧壁过度保护层,在解决了LED芯片光型的同时,提高了LED芯片的可靠性和抗击穿能力。其次,通过动态刻蚀工艺形成隔离槽,解决了常规刻蚀工艺刻蚀均匀性不足导致芯片因短路而失效的问题。再次,在形成最终的钝化保护膜之前,对高压LED芯片的表面及侧壁进行等离子体处理,解决...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。