技术编号:7096688
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提出了一种发光二极管结构,通过N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构,从而增加发光面积,改变全反射临界角,减少了发生全反射现象,以达到提升发光二极管的光萃取效率;通过在表面粗糙的凹槽结构上形成N电极,可以增加电极与凹槽结构的接触面积,从而增加电极粘附性,提高发光二极管的可靠性。专利说明一种发光二极管结构 [0001]本实用新型涉及半导体,尤其是一种可以增加出光面积、提高光萃取效率的发光二极管结构。 背景技术 [0002]发光二极管(英文为Li...
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