技术编号:7097020
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别涉及一种N-LDMOS的制造方法。背景技术横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)是一种轻掺杂的MOS器件,与CMOS工艺具有非常好的兼容性。传统CMOS器件通常为源漏对称结构,而LDMOS采用源漏非对称结构以满足较高耐压和相对低的导通电阻的需求。如图I所示,LDMOS的源极区域设有体区结构1,漏极区域中设有漂移区结构2。体区I与传统的CMOS晶体管中的阱区类似,主要用于控制LDMOS的阈值电压;漂移区2则主要用于控制LDM...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。