技术编号:7097100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电容器,具体地,涉及ー种。背景技术电容器是集成电路中的重要组成单元,广泛运用于存储器,微波,射频,智能卡,高压和滤波等芯片中。在芯片中广为采用的电容器构造是平行于硅片衬底的金属-绝缘体-金属(MIM)。其中金属是制作 エ艺易与金属互连エ艺相兼容的铜、铝等,绝缘体则是氮化硅、氧化硅等高介电常数(k)的电介质材料。改进高k电介质材料的性能是提高电容器性能的主要方法之一。等离子体增强型化学气相沉积方法(PECVD, Plasma Enhanced Ch...
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