技术编号：7097844
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p-GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p-GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的...
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