技术编号：7098020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对(M0SFETPAIR)及其制造方法，且特别指有关于一种可调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路的具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及其制造方法。背景技术随着近年来电脑与网络通讯的快速发展，交换式电源供应器广泛地被应用在信息与通讯设备上，如个人电脑、服务器与路由器等等，而金属氧化物半导体场效应晶体管对则是普遍地被用来当作交换式电源供应器的电压调节器。图I概要地显示该金属氧化物半导体场效应晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。