技术编号:7098281
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关半导体装置中的铜(Cu)及/或铜合金金属化,以及有关一种制造具有可信赖,低电阻铜或铜合金互连的半导体装置的方法。本发明特别可应用于形成具有次微米设计形体及高导电率互连结构的高速集成电路,包含以金属-氧化物层,如MnOx或AlOx予以实质上均匀地封装的铜或铜合金形体。背景技术在半导体制造中,在金属互连后段工艺(BEOL)加工期间施加镶嵌(damascene)。现有镶嵌加工包含在介电中间层形成开口及以导电材料,例如,铜或铜合金填充开口,以形成接触面...
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