技术编号:7098322
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容总的来说涉及集成电路器件的设计和制造,更具体地,涉及用于形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的系统和方法。背景技术在快速发展的半导体制造工业中,互补金属氧化物半导体(CMOS)FinFET器件越来越多地用于许多逻辑和其他应用,并且集成到各种不同类型的半导体器件中。FinFET器 件通常包括具有高纵横比的半导体鳍,其中,形成晶体管的沟道和源极/漏极区域。在半导体鳍的一部分的侧面的上方并沿着半导体鳍的一部分的侧面形成栅极。鳍的使用增加了用于相同面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。