技术编号:7098544
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体器件及制作工艺,具体的说是一种基于GaN材料的金属绝缘体半导体MIS栅增强型高电子迁移率晶体管HEMT器件以及制作方法,可用于高温高频大功率应用场合以及大功率开关和数字电路。背景技术GaN是一种新型宽禁带化合物半导体材料,具有许多硅基半导体材料所不具备的优良特性,如3. 14eV的宽禁带宽度,高达3X 106V/cm的击穿电场,以及较高的热导率,且耐腐蚀,抗辐射。更重要的是,GaN材料可以形成AlGaN/GaN异质结结构,这种异...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。