技术编号:7098567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体材料、器件及其制作エ艺。具体的说是ー种,可用于高温大功率应用场合以及数字电路基本単元中。 背景技术随着现代武器装备和航空航天、核能、通信技木、汽车电子、开关电源的发展,对半导体器件的性能提出了更高的要求。作为宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、临界击穿场强高、热导率高、稳定性好、耐腐蚀、抗辐射等特点,可用于制作高温、高频及大功率电子器件。另外,GaN还具有优良的电子特性,可以和AlGaN形...
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