技术编号:7098664
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致上是关于用以形成多层互连结构及包含它们的集成电路的结构及方法。背景技术通常采用多层互连作为复杂集成电路(IC)的一部分。如此处所使用的,“集成电路”这个术语及“1C”这个缩写字,是打算包含采用单石(monolithic)多层互连的任何电子系统,不论是否是形成在半导体衬底上。一般说来,该多层互连的各个阶层是由电性导电件的第一阶层(例如,识别为导电件MN)及各种导电件填充的通孔(例如,识别为VN+1/N)所组成,该电性导电件的该第一阶层被电介质中介层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。