技术编号:7098850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体领域,涉及一种硅纳米线NMOSFET的制备方法,尤其涉及一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法。背景技术当前,在先进的半导体器件制造中引入应变工程非常普遍。在通过应变工程所制造的半导体器件中,对于沟道方向为〈110〉的M0SFET,当沟道方向具有张应力时,可以有效增大NMOSFET的电流驱动能力,而当沟道方向具有压应力时,可以有效增大PM0SFET的电流驱动能力。同样道理,对于最先进的半导体纳米线场效应晶体管(Nanowire Field...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。