技术编号:7098940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 可以通过结合两个或更多层制造复杂的半导体衬底。一类这样的工程化衬底是绝缘体上半导体类型的衬底,其中,将顶端半导体层粘合在机械支撑层上,两者之间具有介电层。对于顶端半导体层,可以采用诸如InGaN (氮化铟镓)的III/V半导体材料。关于用于机械支撑的材料,通常采用蓝宝石(这种情况下)。电子学、微电子学、光学电子学或光电池领域中,采用这种半导体衬底。为了制造这种半导体衬底,例如InGaNOS (粘合在蓝宝石机械支撑上的氮化铟镓层)衬底...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。