技术编号:7098948
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构,属于含有超晶格过渡层半导体单晶薄膜的外延生长。背景技术目前,高速的异质结双极晶体管主要有SiGe材料体系和InP材料体系两种,与SiGe材料体系相比,InP异质结双极晶体管,集电区电子速度比为3. 5 1,基极电子扩散速度比为10 1,因此InP基DHBT具有更高的截止频率。InP异质结双极晶体管主要包含两种材料体系,即InGaAs为基区的InGaAs/InP DHBT和GaAsSb为基区的Ga...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。