技术编号:7098951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构,属于半导体单晶薄膜的外延生长。背景技术氮化镓(GaN)基高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)是一种基于氮化物异质结构的新型电子器件,氮化物材料特有的极化效应使得在异质结界面势阱中形成高浓度的二维电子气(2DEG)沟道,通过肖特基栅压控制沟道电子实现工作。器件具有高频、大功率的优异特性,广泛应用于无线通信基站、电力电子器件等信息收发、能量转换等领域,符合当前节能环保、绿色低碳的发展理念;GaN HE...
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