技术编号：7098971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造，且特别涉及ー种栅极补偿隔离区刻蚀方法。背景技术在先进集成电路エ艺中，栅极补偿隔离区通常环绕栅极结构，防止后续エ艺中更大剂量的离子注入临近区域而导致源/漏穿通。栅极补偿隔离区刻蚀エ艺一般有主刻蚀和过刻蚀两个主要步骤，主刻蚀完成对氧化层的刻蚀，过刻蚀则完成对于空旷区的残余氧化物清除。现有技术中主刻蚀步骤一般采用光学发光光谱仪(OES)或者固定时间来进行刻蚀终点的侦测。就采用光学发光光谱仪的刻蚀终点侦测而言，利用侦测等离子体中刻蚀生成物C...
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