技术编号:7098992
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池领域,特别涉及ー种背面接触硅太阳能电池的方法以及包括这种背面接触的硅太阳能电池。背景技术典型地,硅被用作太阳能电池的基本材料。硅太阳能电池的制造中,开始点是结晶硅芯片,其中P_n结是利用掺杂而形成。为了配置p_n结,因此过 程通常是使用P-掺杂硅基材、并形成n-掺杂发射层。然后p-n结的两端典型地经由硅芯片的前面与背面而接触。在背面接触的框架中,为了防止重组损失,所称的“后表面场”被配置在硅芯片背面上。为了这个目的,铝层典型地被沉积在硅...
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