技术编号:7099109
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子元器件制备,特别涉及一种肖特基ニ极管的制备方法。背景技术肖特基ニ极管(Schottky Barrier Diode,缩写为SBD),是利用金属-半导体结原理制作的低功耗、大电流超高速的半导体器件,具有反向恢复时间极短、开关频率高、正向压降低的优点,广泛用于AC-DC和DC-DC变换电路中。在传统的肖特基ニ极管制造中,外延エ艺的费用占成品价格的很大比例。而随着最近国际上单晶硅价格大幅走低,传统外延エ艺费用占成本比例呈上升趋势。为了获得肖特基ニ极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。