技术编号：7099155
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域，特别是涉及。背景技术目前IGBT(绝缘栅双极型晶体管)工艺中，需要在wafer (晶片)背面进行反型注入，且注入前wafer必须减到非常薄(60_100um)的状态，这么薄的硅片厚度进行注入及注入后的激活退火，对设备的硬件要求非常的高。另外，如果要将FRD (快速恢复二极管)及IGBT集成在一个芯片上，还需要部分区域进行反型注入部分区域进行同型注入。而且注入区域必须和正面的器件保证对准。这样就需要进行专门的背面光刻。普通的制造LO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。