技术编号:7099203
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种具有复合缓冲层旳氮化镓基高电子迁移率晶体管,属于半导体器件领域,可以有效降低器件的泄漏电流和提高器件击穿电压。背景技术氮化镓基高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)不但具有氮化镓材料禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐射和良好的化学稳定性等优异特性,同时氮化镓材料可以与铝镓氮(AlGaN)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气沟道,因此特别适用于高压、大功率和高温应用,是电力电子应用最具潜力的晶体管之一。图I为已有技术GaN...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。