技术编号:7099836
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种半导体器件的制备方法,具体地说,是一种。背景技术 到目前为止,大部分的纳米硅薄膜是用等离子体增强化学气相PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、热丝化学气相沉积HWCVD(Hot Wire Chemical Vapor Deposition)方法来制备,衬底温度都高于200℃,有的甚至在1000℃以上的高温条件下生成的,这就与使用不耐高温的柔性衬底制备低成本太阳电池的要求成为一对难...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。