技术编号:7100002
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种。特别是关于具有斜边(tapered)的栅极导体的片状凹形沟道栅电极,及其形成方法。背景技术随着元件特征尺寸的持续缩小,导因于栅极沟道长度缩小所造成的短沟道效应(short channel effect, SCE)已经阻碍了集成电路芯片的性能。为了解决这个问题,业界已经进行了许多努力,例如,减少栅极氧化层介质的厚度,或是增加源/漏极的掺杂浓度。然而,这些方法亦会产生影响数据传输速度与元件可靠性的副作用,因此并不切实际。业界一种新开发的凹入式栅...
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