技术编号:7100076
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术平面硅双极晶体管是构建模拟集成电路的传统器件,但由于硅材料在速度上的先天劣势,历史上高频高速应用领域一直由神化镓等III-V族化合物半导体器件主宰。窄禁带锗硅合金作为基区材料引入硅双极晶体管得到的锗硅异质结双极晶体管,在高频性能上有了很大的提高,同时还保持了硅基技术成本较低的优势,因此已经广泛应用于射频、微波和高速半导体器件基区集成电路领域,并部分替代了神化镓等化合物半导体技木。双极晶体管的基极电阻Rb和集电极-基极电容CB。一直是...
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