技术编号:7100089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域有关于一种复合衬底、其制造方法与发光组件,尤其涉及一种具有缓冲层的复合衬底、其制造方法与发光组件。背景技术光电组件属于国内近年来的明星产业,半导体、发光二极管的产值高居世界前端,例如氮化镓系化合物半导体材料可应用于做为短波长发光组件的半导体材料而受到快速研发。氮化镓(GaN)系化合物半导体主要以蓝宝石单晶作为为衬底,于其上藉由金属有机化学气相沉积法(metal-organic chemical vapor deposition, M0C...
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