技术编号：7100178
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用了可变电阻元件的非易失性半导体存储装置以及其驱动方法，更详细地说涉及可变电阻元件的作为初始化的成型(forming)方法。背景技术近年来，替代闪速存储器的新型的非易失性半导体存储装置正被广泛地研究。其中利用了通过向过渡金属氧化物等的可变电阻体施加电压从而发生电阻的变化的现象的RRAM (电阻变化存储器)，在微细化限度方面与闪速存储器相比是有利的，此外能进行高速的数据重写，因此研究开发正在积极地进行中。在作为该新的存储器的RRAM中使用的可变电...
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