技术编号:7100486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别涉及ー种。背景技术随着CMOS晶体管尺寸不断縮小到次微米级,正如摩尔定律的预测,在高效率、高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个。这些数量庞大的有源元件的信号集成需要多达八层以上的高密度金属连线,然而这些金属连线带来的电阻和寄生电容已经成为限制这种高效集成电路速度的主要因素。基于这个因素的推动,半导体エ业从原来的铝互连线エ艺发展成金属铜互连线エ艺,金属铜减少了金属连线层间的电阻,增强了电路的稳定性。同时,利用低介电介质(...
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