技术编号：7100795
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及晶体管，尤其涉及一种具有补偿区的MOS晶体管。背景技术MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，尤其是功率M0SFET，被广泛地用作用于切换电力负载的电子开关或在各种切换转换器中用作电子开关。功率MOSFET包括均具有第一导电类型的漏区、邻接漏区的漂移区、源区，以及第二导电类型的配置在漂移区和源区之间的本体区。栅电极用于控制位于源区和漂移区之间的本体区中的导电沟道。源电极电连接至也与该本体区相连的源电极，漏区电连接至漏电极。可通过...
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