技术编号:7100917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例是关于功率集成电路,更确切地说,是关于在碳化硅衬底中含有分裂栅沟槽MOSFET的集成结构。背景技术大多数半导体功率器件的制备都是利用硅作为衬底。目前,研发趋势正在朝着使用碳化硅(SiC)制备功率器件的方向发展,尤其是高压功率器件。碳化硅与硅相比,具有许多良好的特性,可以在高温、高功率以及高频下运行。此外,碳化硅功率器件具有很低的导通电阻(Rlism)和很高的导热性,比硅功率器件高出500至1000倍,从而可以用于制备功率器件。尽管碳化硅具有这...
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