技术编号:7101294
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件,涉及垂直双扩散金属氧化物半导体器件(VDMOS器件),尤其是具有超结结构(Super Junction)的VDMOS器件。背景技术目前,功率半导体器件的应用领域越来越广,可广泛地应用于DC-DC变换器、DC-AC变换器、继电器、马达驱动等领域。纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)与双极型晶体管相比,具有开关速度快、损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、频率特性好、跨导高度线性等优点,因而成为目前应用最为广泛的新型功率器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。