技术编号:7101382
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,并且更具体而言,涉及鳍型场效应晶体管(FinFET)器件及其制造方法。背景技术由于鳍型场效应晶体管(FinFET)器件的快速切換时间以及高的电流密度,鳍型场效应晶体管是期望的器件架构。在FinFET器件的基本形式中,FinFET器件包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的ー个或者多个鳍形沟道。在鳍之上的栅极电极调节在源极和漏极之间的电子流。然而,FinFET器件的架构展现出显著的制造挑战。例如,随着器件的特征尺寸变得越来越小(与当前技术相匹...
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