技术编号:7101510
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种削弱侧壁再沉积的方法、采用了该削弱侧壁再沉积的方法的刻蚀方法、以及采用了该削弱侧壁再沉积的方法的半导体器件制造方法。 背景技术在半导体制造エ艺过程中,为了形成期望的栅极结构,不可避兔地需要用到刻蚀ェ艺。然而,在利用例如干法刻蚀土艺来刻蚀栅极的过程中,尤其是在制造比较复杂的栅极结构的刻蚀过程中,现有技术存在ー些问题。具体地说,一般的,在采用了材料钨(W)的MOSFET (金属ー氧化物一半导体)场效应晶体管的...
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