技术编号:7101669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳基集成电路制造,具体涉及一种石墨烯上生长高k介质的方法。背景技术在半导体制造领域,摩尔定律的不断延展与纵深使得硅基集成电路器件尺寸距离其物理极限越来越近。2004年,人们发现了一种新型半导体材料-石墨烯(Graphene)。石墨烯(Graphene)是由单层六角元胞碳原子组成的蜂窝状二维晶体,是石墨中的一层,图I所示为石墨烯的基本结构示意图。石墨烯具有远比硅高的载流子迁移率,对于零禁带宽度 的石墨烯施加电场,进行掺杂或者制备成石墨烯纳米带等处理...
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