技术编号：7101871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种IGBT功率模块，该IGBT功率模块是制备压接式超高压、超大功率IGBT模组的基本单元。背景技术绝缘栅极双极晶体管(IGBT)模块可以由一个IGBT芯片和一个FWD芯片组成，也可以由多个IGBT芯片和FWD芯片组成，以制备不同功率等级和电路结构的IGBT模块。电路如图I所示IGBT功率模块由一个IGBT和一个续流二极管(FWD)组成；当模块需要更大的输出功率，而单个IGBT芯片又无法满足使用要求时，通常必须将多个图I所示的功率单元进行并联，如...
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