技术编号:7101999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,尤其涉及一种在器件表面形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法。背景技术侧墙(Spacer)是业界制作半导体CMOS器件必需的一个结构,它不仅能够保护栅极,搭配上浅掺杂(LDD)工艺,还能够很好地降低短沟道效应。目前为止,传统的侧墙工艺较多采用二氧化硅和氮化硅的复合层(其中氮化硅是外层),到了 65纳米工艺及以下时,对于二氧化硅薄膜的沉积要求越来越高,不仅需要低温沉积制程(〈300飞00°0,还需要有很好的均匀性,尤其是对于不同区域(大线...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。