技术编号:7102001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于,特别有关于封装结构及其制造方法。背景技术在半导体结构的技术中,II1-V族晶体管例如氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)结合高传导电子密度、高电子迁移率和较宽的能隙,使其可在指定的反向耐压下,显著降低元件的导通电阻RDS(on)。适合于制作高频率、大功率和高效率的电子器件。因此II1-V族晶体管特别GaN HEMT逐渐成为技术研究发展的重点。然而,目前的封装方式容易有散热不佳的问题。发明内容本发明有关于一种。半导体结构具有高的散热效果。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。